20 V / 100 mA · NPN

In 4 Versuchen genannt Inhaltsverzeichnis ansehen

1. 4.1 Prüfen der Schichtung und des Gleichrichterverhaltens von bipolaren Transistoren 1 × S. 31
2. 4.2 Stromverteilung im Transistor und Steuerwirkung des Basisstroms 2 × S. 35
3. 4.3 Die Kennlinien des Transistors 4 × S. 39
4. 4.4 Einfluss des Arbeitswiderstandes auf die Transistoreigenschaften 1 × S. 44

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In 17 Versuchen genannt Inhaltsverzeichnis ansehen

1. 1.1 Verstärkergrundschaltungen mit bipolaren Transistoren 3 × S. 1
2. 1.3.1 Zweistufiger Wechselspannungsverstärker 1 × S. 11
3. 1.3.2 Darlington-Verstärker 2 × S. 15
4. 1.3.4 Phasenumkehrstufen 1 × S. 21
5. 1.3.5 Differenzverstärker 2 × S. 25
6. 1.3.6 Zweistufiger Gleichspannungsverstärker mit Komplementärtransistoren 2 × S. 29
7. 1.4 Gegentaktendverstärker 1 × S. 33
8. 1.5.1 Gegenkopplung 3 × S. 37
9. 1.5.2 Mitkopplung 1 × S. 43
10. 2.1.1 Schwellwert-Schalter (Schmitt-Trigger) 2 × S. 48
11. 2.3.2 Sinusgenerator mit LC-Glied 1 × S. 63
12. 4.2.2 Stromregler 1 × S. 89
13. 4.2.3 Schaltspannungsregler 1 × S. 92
14. 5.3 Vollwellensteuerung mit Nullspannungsschalter 2 × S. 111
15. 6.3 NICHT-Glied 1 × S. 124
16. 6.4 NAND-Glied 2 × S. 126
17. 6.5 NOR-Glied 2 × S. 129

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In 8 Versuchen genannt Inhaltsverzeichnis ansehen

1. 18.1 Prüfen der Schichtung und des Gleichrichterverhaltens von bipolaren Transistoren 1 × S. 183
2. 18.2 Stromverteilung im Transistor und Steuerwirkung des Basisstroms 2 × S. 187
3. 18.3 Die Kennlinien des Transistors 4 × S. 191
4. 18.4 Einfluss des Arbeitswiderstandes auf die Transistoreigenschaften 1 × S. 196
5. 18.5 Verstärkergrundschaltungen mit bipolaren Transistoren 3 × S. 201
6. 18.6 Stromregler mit Transistor 1 × S. 206
7. 18.7 Phasenumkehrstufe mit Transistor 1 × S. 209
8. 18.8 Sinusgenerator mit RC-Glied 1 × S. 211

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