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Transistoren

Typ 9118 ...

Transistoren

Steckbare PNP- und NPN-Transistoren mit Basisanschluss links oder rechts im Klarsicht-Kunststoffgehäuse.

Beschreibung

steckbar, in unzerbrechlichem Klarsicht-Kunststoffgehäuse, mit drei vergoldeten Lamellensteckern

Das Schaltzeichen ist auf der Gehäuseoberseite weiß aufgedruckt.

Die Transistoren sind lieferbar mit Basisanschluss links oder Basisanschluss rechts (außer Typ 9118.1).

Die mit einem Stern gekennzeichneten Typen 9117.3 und 9117.31 sind in ein wirbelgesintertes Leichtmetallgehäuse eingebaut (55 x 54 x 36 mm).

Technische Daten

  • Steckeranordnung im 19-mm-Raster
  • Steckerdurchmesser: 4 mm
  • Gehäuseabmessungen: 38 x 57 x 35 mm (B x T x H)

Einzeltypen

Art Basisanschluss UCE0 UEB0 UCB0 IC Ptot Typ
PNP links -24 V -10 V -32 V -200 mA 0,9 W 9118.1
PNP links -20 V -5 V -20 V -100 mA 0,3 W 9118.4
PNP rechts -20 V -5 V -20 V -100 mA 0,3 W 9118.12
PNP links -40 V -5 V -40 V -1 A 3,2 W 9118.7
PNP rechts -40 V -5 V -40 V -1 A 3,2 W 9118.10
NPN links 20 V 6 V 50 V 100 mA 0,5 W 9118.2
NPN rechts 20 V 6 V 50 V 100 mA 0,5 W 9118.3
NPN links 40 V 7 V 80 V 1 A 3,7 W 9118.5
NPN rechts 40 V 7 V 80 V 1 A 3,7 W 9118.6
NPN links 60 V 7 V 90 V 15 A 12 W 9117.3 *
NPN rechts 60 V 7 V 90 V 15 A 12 W 9117.31 *
NPN, mit Basisvorwiderstand (180 Ω / 2 W) links 40 V 15 V 80 V 1 A 3,7 W 9118.15

UCE0 = Kollektor-Emitter-Spannung, UEB0 = Emitter-Basis-Spannung, UCB0 = Kollektor-Basis-Spannung, IC = Kollektorstrom, Ptot = Gesamtverlustleistung

* wirbelgesintertes Leichtmetallgehäuse

Hinweis

Aus Gründen der Berührungssicherheit dürfen die Bauelemente nur bis zur höchstzulässigen Schutzkleinspannung betrieben werden.

Zurück zur Übersicht Katalogseite 11 (PDF)

Typnummern, wie sie in den Bauelemente-Übersichten und Versuchen der hps Handbücher genannt werden. Die Detailseite je Typ zeigt die Versuche, in denen er verwendet wird. Stand 06.09.2026

Typ Beschreibung Versuche Handbücher
9118.2 20 V / 100 mA · NPN 29 V 0103 V 0104 V 0105
9118.5 40 V / 1 A 17 V 0104
9118.6 40 V / 1 A 10 V 0104
9118.7 40 V / 1 A · PNP 5 V 0103 V 0104
9118.15 NPN, mit Basisvorwiderstand (180 Ω / 2 W) · links · 40 V · 15 V · 80 V · 1 A · 3,7 W V 0106

Die Angaben stammen aus den Inhaltsverzeichnissen der hps Versuchshandbücher (Titel, Nummern und Seiten). Die Handbücher werden mit den Trainingssystemen geliefert. Alle Handbücher und Versuche

V 0103 Halbleiterbauelemente Handbuch · 168 Seiten 4 Versuche

In 4 Versuchen genannt Im Handbuch als 9118.7, 9118.2 Inhaltsverzeichnis ansehen

  1. 4.1 Prüfen der Schichtung und des Gleichrichterverhaltens von bipolaren Transistoren 1 × S. 31
  2. 4.2 Stromverteilung im Transistor und Steuerwirkung des Basisstroms 2 × S. 35
  3. 4.3 Die Kennlinien des Transistors 4 × S. 39
  4. 4.4 Einfluss des Arbeitswiderstandes auf die Transistoreigenschaften 1 × S. 44
V 0104 Grundschaltungen der Elektronik Handbuch · 243 Seiten 27 Versuche

In 27 Versuchen genannt Im Handbuch als 9118.2, 9118.5, 9118.6, 9118.7 Inhaltsverzeichnis ansehen

  1. 1.1 Verstärkergrundschaltungen mit bipolaren Transistoren 3 × S. 1
  2. 1.3.1 Zweistufiger Wechselspannungsverstärker 1 × S. 11
  3. 1.3.2 Darlington-Verstärker 2 × S. 15
  4. 1.3.3 Emittergekoppelter Verstärker 1 × S. 18
  5. 1.3.4 Phasenumkehrstufen 1 × S. 21
  6. 1.3.5 Differenzverstärker 2 × S. 25
  7. 1.3.6 Zweistufiger Gleichspannungsverstärker mit Komplementärtransistoren 2 × S. 29
  8. 1.4 Gegentaktendverstärker 1 × S. 33
  9. 1.5.1 Gegenkopplung 3 × S. 37
  10. 1.5.2 Mitkopplung 1 × S. 43
  11. 2.1.1 Schwellwert-Schalter (Schmitt-Trigger) 2 × S. 48
  12. 2.1.2 Astabile Kippschaltung (Multivibrator) 1 × S. 52
  13. 2.1.3 Monostabile Kippschaltung 1 × S. 54
  14. 2.1.4 Bistabile Kippschaltung (Flip-Flop) 2 × S. 56
  15. 2.3.1 Sinusgenerator mit RC-Glied 1 × S. 61
  16. 2.3.2 Sinusgenerator mit LC-Glied 1 × S. 63
  17. 3.2 Frequenzmodulator 1 × S. 70
  18. 4.2.1 Spannungsregler (linear) 1 × S. 87
  19. 4.2.2 Stromregler 1 × S. 89
  20. 4.2.3 Schaltspannungsregler 1 × S. 92
  21. 4.3 Gleichspannungswandler 2 × S. 96
  22. 5.1.1 Anschnittsteuerung mit Gleichrichterwirkung 1 × S. 99
  23. 5.1.2 Anschnittsteuerung ohne Gleichrichterwirkung 1 × S. 104
  24. 5.3 Vollwellensteuerung mit Nullspannungsschalter 2 × S. 111
  25. 6.3 NICHT-Glied 1 × S. 124
  26. 6.4 NAND-Glied 2 × S. 126
  27. 6.5 NOR-Glied 2 × S. 129
V 0105 Grundlagenversuche Elektrotechnik–Elektronik Handbuch · 274 Seiten 8 Versuche

In 8 Versuchen genannt Im Handbuch als 9118.2 Inhaltsverzeichnis ansehen

  1. 18.1 Prüfen der Schichtung und des Gleichrichterverhaltens von bipolaren Transistoren 1 × S. 183
  2. 18.2 Stromverteilung im Transistor und Steuerwirkung des Basisstroms 2 × S. 187
  3. 18.3 Die Kennlinien des Transistors 4 × S. 191
  4. 18.4 Einfluss des Arbeitswiderstandes auf die Transistoreigenschaften 1 × S. 196
  5. 18.5 Verstärkergrundschaltungen mit bipolaren Transistoren 3 × S. 201
  6. 18.6 Stromregler mit Transistor 1 × S. 206
  7. 18.7 Phasenumkehrstufe mit Transistor 1 × S. 209
  8. 18.8 Sinusgenerator mit RC-Glied 1 × S. 211