Sperrschicht-Feldeffekt-Transistoren

Typ 9118 ...

Sperrschicht-Feldeffekt-Transistoren

Steckbare Sperrschicht-Feldeffekt-Transistoren (N-Kanal und P-Kanal) im Klarsicht-Kunststoffgehäuse.

Beschreibung

steckbar, in unzerbrechlichem Klarsicht-Kunststoffgehäuse, mit drei vergoldeten Lamellensteckern

Das Schaltzeichen ist auf der Gehäuseoberseite weiß aufgedruckt.

Der N-Kanal-Transistor ist lieferbar mit Gateanschluss links oder Gateanschluss rechts.

Technische Daten

  • Steckeranordnung im 19-mm-Raster
  • Steckerdurchmesser: 4 mm
  • Gehäuseabmessungen: 38 x 57 x 35 mm (B x T x H)

Einzeltypen

Art Gateanschluss +UDS UGS UDG IGF Ptot Typ
N-Kanal links 25 V -25 V 25 V 10 mA 200 mW 9118.8
N-Kanal rechts 25 V -25 V 25 V 10 mA 200 mW 9118.19
P-Kanal links 20 V 20 V -20 V -10 mA 200 mW 9118.20

UDS = Drain-Source-Spannung, UGS = Gate-Source-Spannung, UDG = Drain-Gate-Spannung, IGF = Gatestrom, Ptot = Gesamtverlustleistung

Typnummern, wie sie in den Bauelemente-Übersichten und Versuchen der hps Handbücher genannt werden. Die Detailseite je Typ zeigt die Versuche, in denen er verwendet wird. Stand 06.09.2026

Typ Beschreibung Versuche Handbücher
9118.8 Feldeffekt- 25 V / 10 mA · transistoren 25 V / 10 mA 5 V 0103 V 0104
9118.20 transistoren 20 V / 10 mA 1 V 0103

Die Angaben stammen aus den Inhaltsverzeichnissen der hps Versuchshandbücher (Titel, Nummern und Seiten). Die Handbücher werden mit den Trainingssystemen geliefert. Alle Handbücher und Versuche

V 0103 Halbleiterbauelemente Handbuch · 168 Seiten 4 Versuche

In 4 Versuchen genannt Im Handbuch als 9118.20, 9118.8 Inhaltsverzeichnis ansehen

  1. 5.1 Prüfen der Schichtung und des Gleichrichterverhaltens von FETs 1 × S. 49
  2. 5.2 Durchlasskennlinie der PN-Übergänge des Gates bei FETs 1 × S. 51
  3. 5.3 Steuerwirkung des Gates beim N-Kanal-FET 1 × S. 53
  4. 5.4 Ausgangskennlinien des FETs 2 × S. 56
V 0104 Grundschaltungen der Elektronik Handbuch · 243 Seiten 1 Versuch

In 1 Versuch genannt Im Handbuch als 9118.8 Inhaltsverzeichnis ansehen

  1. 1.2 Verstärkergrundschaltungen mit Feldeffekt-Transistoren (FET) 3 × S. 6