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MOS-Feldeffekt-Transistor

Typ 9118.11

MOS-Feldeffekt-Transistor

Steckbarer MOS-Feldeffekt-Transistor (-40 V / -50 mA) mit Gateanschluss links im Klarsicht-Kunststoffgehäuse.

Beschreibung

steckbar, in unzerbrechlichem Klarsicht-Kunststoffgehäuse, mit drei vergoldeten Lamellensteckern

Das Schaltzeichen ist auf der Gehäuseoberseite weiß aufgedruckt.

Technische Daten

  • Drain-Source-Spannung: UDS = -40 V
  • Drain-Gate-Spannung: UDG = -40 V
  • Drainstrom: ID = -50 mA
  • Gesamtverlustleistung: Ptot = 375 mW
  • Gateanschluss: links
  • Steckeranordnung im 19-mm-Raster
  • Steckerdurchmesser: 4 mm
  • Gehäuseabmessungen: 38 x 57 x 35 mm (B x T x H)
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Die Angaben stammen aus den Inhaltsverzeichnissen der hps Versuchshandbücher (Titel, Nummern und Seiten). Die Handbücher werden mit den Trainingssystemen geliefert. Alle Handbücher und Versuche

V 0103 Halbleiterbauelemente Handbuch · 168 Seiten 2 Versuche

In 2 Versuchen genannt Inhaltsverzeichnis ansehen

  1. 6.1 Steuerwirkung des Gates beim selbstsperrenden MOS-FET 1 × S. 63
  2. 6.2 Ausgangskennlinien des selbstsperrenden MOS-FETs 2 × S. 67
V 0104 Grundschaltungen der Elektronik Handbuch · 243 Seiten 1 Versuch

In 1 Versuch genannt Inhaltsverzeichnis ansehen

  1. 4.2.3 Schaltspannungsregler 1 × S. 92