1N4007 · Siliziumdiode

In 6 Versuchen genannt Inhaltsverzeichnis ansehen

1. 1.1 Wirkung des PN-Übergangs bei Dioden 1 × S. 1
2. 1.2 Kennliniendarstellung von Dioden verschiedener Halbleiterwerkstoffe 1 × S. 3
3. 1.3 Einpuls-Mittelpunktschaltung M1 1 × S. 5
4. 1.4 Zweipuls-Brückenschaltung B2 4 × S. 8
5. 2.3 Reihen- und Gegeneinanderschaltung von Z-Dioden 3 × S. 19
6. 2.5 Spannungsstabilisierung mit Z-Dioden 1 × S. 25

In 18 Versuchen genannt Inhaltsverzeichnis ansehen

1. 1.3.6 Zweistufiger Gleichspannungsverstärker mit Komplementärtransistoren 4 × S. 29
2. 2.1.3 Monostabile Kippschaltung 1 × S. 54
3. 2.1.4 Bistabile Kippschaltung (Flip-Flop) 2 × S. 56
4. 3.1 Amplitudenmodulator und -demodulator 2 × S. 65
5. 3.2 Frequenzmodulator 1 × S. 70
6. 4.1.1 Einpuls-Mittelpunktschaltung M1 1 × S. 73
7. 4.1.2 Zweipuls-Brückenschaltung B2 4 × S. 76
8. 4.1.3 Drehstromgleichrichter 9 × S. 79
9. 4.1.4 Spannungsvervielfacher 6 × S. 83
10. 4.2.3 Schaltspannungsregler 2 × S. 92
11. 4.3 Gleichspannungswandler 2 × S. 96
12. 5.1.1 Anschnittsteuerung mit Gleichrichterwirkung 4 × S. 99
13. 5.1.2 Anschnittsteuerung ohne Gleichrichterwirkung 4 × S. 104
14. 5.3 Vollwellensteuerung mit Nullspannungsschalter 10 × S. 111
15. 6.1 UND-Glied 6 × S. 118
16. 6.2 ODER-Glied 6 × S. 121
17. 6.4 NAND-Glied 6 × S. 126
18. 6.5 NOR-Glied 6 × S. 129

In 4 Versuchen genannt Inhaltsverzeichnis ansehen

1. 17.1 Wirkung des PN-Übergangs bei Dioden 1 × S. 161
2. 17.2 Kennliniendarstellung von Dioden verschiedener Halbleiterwerkstoffe 1 × S. 163
3. 17.3 Einpuls-Mittelpunktschaltung M1 1 × S. 165
4. 17.6 Spannungsstabilisierung mit Z-Dioden 1 × S. 177