0
Potenziometer

Typ 9108 ...

Potenziometer

Steckbare Potenziometer von 100 Ω bis 1 MΩ mit Drehknopf und Skala, Belastbarkeit 0,5 W.

Beschreibung

steckbar, in unzerbrechlichem Klarsicht-Kunststoffgehäuse, mit drei vergoldeten Lamellensteckern, Drehknopf mit Skaleneinteilung 0 ... 10 auf der Gehäuseoberseite

Technische Daten

  • Steckeranordnung im 19-mm-Raster
  • Steckerdurchmesser: 4 mm
  • Widerstandstoleranz: +/- 20 %
  • Belastbarkeit: 0,5 W
  • Gehäuseabmessungen: 38 x 57 x 35 mm (B x T x H)

Einzeltypen

Wert Ausführung Typ
100 Ω 9108.1-1
220 Ω 9108.1-2
470 Ω 9108.1-3
1,0 kΩ 9108.2-1
4,7 kΩ 9108.2-2
10 kΩ 9108.2-3
22 kΩ 9108.2-4
47 kΩ 9108.2-5
100 kΩ 9108.2-6
500 kΩ 9108.2-7
1,0 MΩ 9108.3-1
100 kΩ logarithmisch, 0,25 W 9108.4-1
Zurück zur Übersicht Katalogseite 4 (PDF)

Typnummern, wie sie in den Bauelemente-Übersichten und Versuchen der hps Handbücher genannt werden. Die Detailseite je Typ zeigt die Versuche, in denen er verwendet wird. Stand 06.09.2026

Typ Beschreibung Versuche Handbücher
9108.2-1 1 kΩ (0,4 W) 60 V 0101 V 0103 V 0104 V 0105
9108.2-3 10 kΩ 17 V 0103 V 0104

Die Angaben stammen aus den Inhaltsverzeichnissen der hps Versuchshandbücher (Titel, Nummern und Seiten). Die Handbücher werden mit den Trainingssystemen geliefert. Alle Handbücher und Versuche

V 0101 Gleichstromtechnik Handbuch · 92 Seiten 3 Versuche

In 3 Versuchen genannt Im Handbuch als 9108.2-1 Inhaltsverzeichnis ansehen

  1. 4.6 Fotowiderstand (LDR) 1 × S. 23
  2. 4.10 Unbelasteter Spannungsteiler 1 × S. 31
  3. 4.11 Belasteter Spannungsteiler 1 × S. 33
V 0103 Halbleiterbauelemente Handbuch · 168 Seiten 17 Versuche

In 17 Versuchen genannt Im Handbuch als 9108.2-1, 9108.2-3 Inhaltsverzeichnis ansehen

  1. 2.2 Gleichspannungsbegrenzung mit Z-Dioden 1 × S. 13
  2. 2.4 Wechselspannungsbegrenzung und Überspannungsschutz mit Z-Dioden 1 × S. 21
  3. 4.1 Prüfen der Schichtung und des Gleichrichterverhaltens von bipolaren Transistoren 1 × S. 31
  4. 4.2 Stromverteilung im Transistor und Steuerwirkung des Basisstroms 2 × S. 35
  5. 4.3 Die Kennlinien des Transistors 4 × S. 39
  6. 4.4 Einfluss des Arbeitswiderstandes auf die Transistoreigenschaften 1 × S. 44
  7. 5.1 Prüfen der Schichtung und des Gleichrichterverhaltens von FETs 2 × S. 49
  8. 5.2 Durchlasskennlinie der PN-Übergänge des Gates bei FETs 1 × S. 51
  9. 5.3 Steuerwirkung des Gates beim N-Kanal-FET 1 × S. 53
  10. 5.4 Ausgangskennlinien des FETs 2 × S. 56
  11. 6.1 Steuerwirkung des Gates beim selbstsperrenden MOS-FET 1 × S. 63
  12. 6.2 Ausgangskennlinien des selbstsperrenden MOS-FETs 2 × S. 67
  13. 7.2 Schaltkennlinien des Unijunction-Transistors 1 × S. 75
  14. 7.3 Steuerkennlinien des Unijunction-Transistors 1 × S. 78
  15. 8.1 Thyristordiode (DIAC) 1 × S. 81
  16. 8.2 Thyristortriode (Thyristor) 3 × S. 84
  17. 8.3 Zweirichtungsthyristor (TRIAC) 2 × S. 89
V 0104 Grundschaltungen der Elektronik Handbuch · 243 Seiten 27 Versuche

In 27 Versuchen genannt Im Handbuch als 9108.2-1, 9108.2-3 Inhaltsverzeichnis ansehen

  1. 1.1 Verstärkergrundschaltungen mit bipolaren Transistoren 2 × S. 1
  2. 1.2 Verstärkergrundschaltungen mit Feldeffekt-Transistoren (FET) 1 × S. 6
  3. 1.3.1 Zweistufiger Wechselspannungsverstärker 1 × S. 11
  4. 1.3.2 Darlington-Verstärker 2 × S. 15
  5. 1.3.3 Emittergekoppelter Verstärker 1 × S. 18
  6. 1.3.4 Phasenumkehrstufen 2 × S. 21
  7. 1.3.5 Differenzverstärker 2 × S. 25
  8. 1.3.6 Zweistufiger Gleichspannungsverstärker mit Komplementärtransistoren 2 × S. 29
  9. 1.4 Gegentaktendverstärker 1 × S. 33
  10. 1.5.1 Gegenkopplung 3 × S. 37
  11. 1.5.2 Mitkopplung 1 × S. 43
  12. 2.1.1 Schwellwert-Schalter (Schmitt-Trigger) 2 × S. 48
  13. 2.3.1 Sinusgenerator mit RC-Glied 1 × S. 61
  14. 2.3.2 Sinusgenerator mit LC-Glied 1 × S. 63
  15. 3.1 Amplitudenmodulator und -demodulator 2 × S. 65
  16. 3.2 Frequenzmodulator 1 × S. 70
  17. 4.2.1 Spannungsregler (linear) 1 × S. 87
  18. 4.2.2 Stromregler 1 × S. 89
  19. 4.2.3 Schaltspannungsregler 1 × S. 92
  20. 5.1.1 Anschnittsteuerung mit Gleichrichterwirkung 1 × S. 99
  21. 5.1.2 Anschnittsteuerung ohne Gleichrichterwirkung 1 × S. 104
  22. 5.2 Anschnittsteuerung mit TRIAC 1 × S. 108
  23. 5.3 Vollwellensteuerung mit Nullspannungsschalter 2 × S. 111
  24. 7.1 Operationsverstärker als invertierender Verstärker 1 × S. 133
  25. 7.2 Operationsverstärker als nichtinvertierender Verstärker 1 × S. 137
  26. 7.3 Operationsverstärker als Summierer 1 × S. 140
  27. 7.4 Operationsverstärker als Differenzverstärker 1 × S. 145
V 0105 Grundlagenversuche Elektrotechnik–Elektronik Handbuch · 274 Seiten 21 Versuche

In 21 Versuchen genannt Im Handbuch als 9108.2-1 Inhaltsverzeichnis ansehen

  1. 4.5 Fotowiderstand (LDR) 1 × S. 21
  2. 4.9 Unbelasteter Spannungsteiler 1 × S. 30
  3. 4.10 Belasteter Spannungsteiler 1 × S. 31
  4. 17.5 Gleichspannungsbegrenzung mit Z-Dioden 1 × S. 171
  5. 18.1 Prüfen der Schichtung und des Gleichrichterverhaltens von bipolaren Transistoren 1 × S. 183
  6. 18.2 Stromverteilung im Transistor und Steuerwirkung des Basisstroms 2 × S. 187
  7. 18.3 Die Kennlinien des Transistors 4 × S. 191
  8. 18.4 Einfluss des Arbeitswiderstandes auf die Transistoreigenschaften 1 × S. 196
  9. 18.5 Verstärkergrundschaltungen mit bipolaren Transistoren 2 × S. 201
  10. 18.6 Stromregler mit Transistor 1 × S. 206
  11. 18.7 Phasenumkehrstufe mit Transistor 1 × S. 209
  12. 18.8 Sinusgenerator mit RC-Glied 1 × S. 211
  13. 19.1 Thyristortriode (Thyristor) 3 × S. 213
  14. 20.1 Operationsverstärker als invertierender Verstärker 1 × S. 221
  15. 20.2 Operationsverstärker als nichtinvertierender Verstärker 1 × S. 225
  16. 20.3 Operationsverstärker als Summierer 1 × S. 228
  17. 20.4 Operationsverstärker als Differenzverstärker 1 × S. 233
  18. 21.1 Widerstandsmessung mit der Wheatstone-Brücke 1 × S. 241
  19. 21.5 Maxwell-Brücke 1 × S. 251
  20. 21.6 Maxwell-Wien-Brücke 1 × S. 253
  21. 21.7 Kondensator-Messbrücke 1 × S. 255