Schichtwiderstände

Typ 9104 ...

Schichtwiderstände

Steckbare Schichtwiderstände von 10 Ω bis 10 MΩ im Klarsicht-Kunststoffgehäuse, Belastbarkeit 2 W.

Beschreibung

steckbar, in unzerbrechlichem Klarsicht-Kunststoffgehäuse, mit zwei vergoldeten Lamellensteckern

Das Schaltzeichen ist auf der Gehäuseoberseite weiß aufgedruckt.

Zur gleichen Baureihe gehören die Typen 9105 ... (0,2 Ω bis 8,2 Ω) und die Leistungswiderstände 9310 ... (10 W).

Technische Daten

  • Steckerabstand: 19 mm
  • Steckerdurchmesser: 4 mm
  • Widerstandstoleranz: +/- 5 %
  • Belastbarkeit: {'de': '2 W (1,0 MΩ ... 10 MΩ: 0,5 W)', 'en': '2 W (1.0 MΩ ... 10 MΩ: 0.5 W)'}
  • Gehäuseabmessungen: 38 x 19 x 35 mm (B x T x H)

Einzeltypen

Wert Typ
10 Ω 9104.1-1
12 Ω 9104.1-15
15 Ω 9104.1-16
18 Ω 9104.1-17
22 Ω 9104.1-2
27 Ω 9104.1-18
33 Ω 9104.1-19
39 Ω 9104.1-20
47 Ω 9104.1-3
56 Ω 9104.1-4
68 Ω 9104.1-5
82 Ω 9104.1-6
100 Ω 9104.1-7
120 Ω 9104.1-8
150 Ω 9104.1-9
180 Ω 9104.1-21
220 Ω 9104.1-10
270 Ω 9104.1-22
330 Ω 9104.1-14
390 Ω 9104.1-11
470 Ω 9104.1-12
560 Ω 9104.1-23
680 Ω 9104.1-13
820 Ω 9104.1-24
1,0 kΩ 9104.2-1
1,2 kΩ 9104.2-2
1,5 kΩ 9104.2-3
1,8 kΩ 9104.2-25
2,2 kΩ 9104.2-4
2,7 kΩ 9104.2-26
3,3 kΩ 9104.2-5
3,9 kΩ 9104.2-27
4,7 kΩ 9104.2-6
5,6 kΩ 9104.2-28
6,8 kΩ 9104.2-7
8,2 kΩ 9104.2-8
10 kΩ 9104.2-9
12 kΩ 9104.2-10
15 kΩ 9104.2-11
18 kΩ 9104.2-12
22 kΩ 9104.2-13
27 kΩ 9104.2-14
33 kΩ 9104.2-15
39 kΩ 9104.2-16
47 kΩ 9104.2-17
56 kΩ 9104.2-29
68 kΩ 9104.2-24
82 kΩ 9104.2-18
100 kΩ 9104.2-19
120 kΩ 9104.2-30
150 kΩ 9104.2-20
180 kΩ 9104.2-31
220 kΩ 9104.2-21
270 kΩ 9104.2-32
330 kΩ 9104.2-22
390 kΩ 9104.2-33
470 kΩ 9104.2-23
560 kΩ 9104.2-34
680 kΩ 9104.2-35
820 kΩ 9104.2-36
1,0 MΩ 9104.3-1
1,2 MΩ 9104.3-5
1,5 MΩ 9104.3-6
1,8 MΩ 9104.3-7
2,2 MΩ 9104.3-2
2,7 MΩ 9104.3-8
3,3 MΩ 9104.3-3
3,9 MΩ 9104.3-9
4,7 MΩ 9104.3-10
5,6 MΩ 9104.3-11
6,8 MΩ 9104.3-12
8,2 MΩ 9104.3-13
10 MΩ 9104.3-4

Typnummern, wie sie in den Bauelemente-Übersichten und Versuchen der hps Handbücher genannt werden. Die Detailseite je Typ zeigt die Versuche, in denen er verwendet wird. Stand 06.09.2026

Die Angaben stammen aus den Inhaltsverzeichnissen der hps Versuchshandbücher (Titel, Nummern und Seiten). Die Handbücher werden mit den Trainingssystemen geliefert. Alle Handbücher und Versuche

V 0101 Gleichstromtechnik Handbuch · 92 Seiten 15 Versuche

In 15 Versuchen genannt Im Handbuch als 9104.1-10, 9104.1-12, 9104.1-13, 9104.1-14, 9104.1-7, 9104.2-1, 9104.1-2, 9104.2-9, … Inhaltsverzeichnis ansehen

  1. 2 Ohmsches Gesetz 2 × S. 7
  2. 3 Spannungs- und Stromfehlerschaltung 2 × S. 11
  3. 4.2 Linearer Widerstand 1 × S. 15
  4. 4.3 NTC-Widerstand (Heißleiter) 1 × S. 17
  5. 4.5 Spannungsabhängiger Widerstand (Varistor) 1 × S. 21
  6. 4.6 Fotowiderstand (LDR) 1 × S. 23
  7. 4.7 Reihenschaltung von Widerständen 1 × S. 25
  8. 4.8 Parallelschaltung von Widerständen 1 × S. 27
  9. 4.9 Mischung von Reihen- und Parallelschaltung 1 × S. 29
  10. 4.11 Belasteter Spannungsteiler 1 × S. 33
  11. 5 Ersatzspannungsquelle 1 × S. 35
  12. 7 Parallelschaltung von Spannungsquellen 2 × S. 41
  13. 8 Elektrische Leistung und Arbeit 1 × S. 43
  14. 9 Wirkungsgrad der elektrischen Leistung 2 × S. 47
  15. 10 Spannungs-, Strom- und Leistungsanpassung 2 × S. 49
V 0102 Wechselstromtechnik Handbuch · 160 Seiten 23 Versuche

In 23 Versuchen genannt Im Handbuch als 9104.2-1, 9104.1-7, 9104.1-13, 9104.1-14, 9104.2-6, 9104.1-12 Inhaltsverzeichnis ansehen

  1. 1.2 Kenngrößen der Sinusspannung 1 × S. 1
  2. 1.3 Wirkleistung bei Sinusspannung 1 × S. 5
  3. 1.4 Kenngrößen der Rechteckwechselspannung 1 × S. 9
  4. 2.3 Verbraucher in Sternschaltung 3 × S. 19
  5. 2.4 Verbraucher in Dreieckschaltung 3 × S. 23
  6. 2.5 Messungen an fehlerhafter Sternschaltung 3 × S. 27
  7. 2.6 Messungen an fehlerhafter Dreieckschaltung 3 × S. 31
  8. 3.2 Lade- und Entladevorgang eines Kondensators 1 × S. 37
  9. 3.3 Phasenverschiebung zwischen Strom und Spannung am Kondensator 1 × S. 41
  10. 3.4 Kapazitiver Blindwiderstand eines Kondensators 1 × S. 43
  11. 3.5 Reihenschaltung von Kondensatoren 1 × S. 45
  12. 3.7 Blindleistung eines Kondensators 1 × S. 49
  13. 4.2 Ein- und Ausschaltvorgang an einer Spule 1 × S. 55
  14. 4.3 Phasenverschiebung zwischen Strom und Spannung an einer Spule 1 × S. 59
  15. 4.4 Induktiver Blindwiderstand einer Spule 1 × S. 61
  16. 4.7 Blindleistung einer Spule 1 × S. 67
  17. 5.2 Reihenschaltung von Widerstand und Kondensator 1 × S. 71
  18. 5.3 Parallelschaltung von Widerstand und Kondensator 1 × S. 75
  19. 5.4 Reihenschaltung von Widerstand und Spule 1 × S. 79
  20. 5.5 Parallelschaltung von Widerstand und Spule 1 × S. 83
  21. 5.8 Reihenschaltung von Widerstand, Kondensator und Spule 1 × S. 95
  22. 5.9 Parallelschaltung von Widerstand, Kondensator und Spule 1 × S. 99
  23. 5.10 Wirk-, Blind- und Scheinleistung 1 × S. 103
V 0103 Halbleiterbauelemente Handbuch · 168 Seiten 26 Versuche

In 26 Versuchen genannt Im Handbuch als 9104.1-13, 9104.1-14, 9104.2-9, 9104.1-10, 9104.2-1, 9104.1-12, 9104.2-6, 9104.1-1, … Inhaltsverzeichnis ansehen

  1. 1.1 Wirkung des PN-Übergangs bei Dioden 1 × S. 1
  2. 1.2 Kennliniendarstellung von Dioden verschiedener Halbleiterwerkstoffe 1 × S. 3
  3. 1.3 Einpuls-Mittelpunktschaltung M1 1 × S. 5
  4. 1.4 Zweipuls-Brückenschaltung B2 1 × S. 8
  5. 2.1 Durchlass- und Sperrkennlinie von Z-Dioden 1 × S. 11
  6. 2.2 Gleichspannungsbegrenzung mit Z-Dioden 3 × S. 13
  7. 2.3 Reihen- und Gegeneinanderschaltung von Z-Dioden 1 × S. 19
  8. 2.4 Wechselspannungsbegrenzung und Überspannungsschutz mit Z-Dioden 1 × S. 21
  9. 2.5 Spannungsstabilisierung mit Z-Dioden 1 × S. 25
  10. 3 Leuchtdioden 2 × S. 27
  11. 4.1 Prüfen der Schichtung und des Gleichrichterverhaltens von bipolaren Transistoren 1 × S. 31
  12. 4.2 Stromverteilung im Transistor und Steuerwirkung des Basisstroms 2 × S. 35
  13. 4.3 Die Kennlinien des Transistors 4 × S. 39
  14. 4.4 Einfluss des Arbeitswiderstandes auf die Transistoreigenschaften 2 × S. 44
  15. 5.1 Prüfen der Schichtung und des Gleichrichterverhaltens von FETs 2 × S. 49
  16. 5.2 Durchlasskennlinie der PN-Übergänge des Gates bei FETs 1 × S. 51
  17. 5.3 Steuerwirkung des Gates beim N-Kanal-FET 2 × S. 53
  18. 5.4 Ausgangskennlinien des FETs 3 × S. 56
  19. 6.1 Steuerwirkung des Gates beim selbstsperrenden MOS-FET 1 × S. 63
  20. 6.2 Ausgangskennlinien des selbstsperrenden MOS-FETs 2 × S. 67
  21. 7.1 Prüfen der Interbasisstrecke beim Unijunction-Transistor 1 × S. 73
  22. 7.2 Schaltkennlinien des Unijunction-Transistors 1 × S. 75
  23. 7.3 Steuerkennlinien des Unijunction-Transistors 1 × S. 78
  24. 8.1 Thyristordiode (DIAC) 2 × S. 81
  25. 8.2 Thyristortriode (Thyristor) 4 × S. 84
  26. 8.3 Zweirichtungsthyristor (TRIAC) 2 × S. 89
V 0104 Grundschaltungen der Elektronik Handbuch · 243 Seiten 42 Versuche

In 42 Versuchen genannt Im Handbuch als 9104.1-1, 9104.1-10, 9104.1-12, 9104.1-13, 9104.1-7, 9104.2-1, 9104.2-6, 9104.2-9, … Inhaltsverzeichnis ansehen

  1. 1.1 Verstärkergrundschaltungen mit bipolaren Transistoren 6 × S. 1
  2. 1.2 Verstärkergrundschaltungen mit Feldeffekt-Transistoren (FET) 3 × S. 6
  3. 1.3.1 Zweistufiger Wechselspannungsverstärker 2 × S. 11
  4. 1.3.2 Darlington-Verstärker 3 × S. 15
  5. 1.3.3 Emittergekoppelter Verstärker 3 × S. 18
  6. 1.3.4 Phasenumkehrstufen 6 × S. 21
  7. 1.3.5 Differenzverstärker 6 × S. 25
  8. 1.3.6 Zweistufiger Gleichspannungsverstärker mit Komplementärtransistoren 4 × S. 29
  9. 1.4 Gegentaktendverstärker 2 × S. 33
  10. 1.5.1 Gegenkopplung 9 × S. 37
  11. 1.5.2 Mitkopplung 3 × S. 43
  12. 2.1.1 Schwellwert-Schalter (Schmitt-Trigger) 4 × S. 48
  13. 2.1.2 Astabile Kippschaltung (Multivibrator) 2 × S. 52
  14. 2.1.3 Monostabile Kippschaltung 2 × S. 54
  15. 2.1.4 Bistabile Kippschaltung (Flip-Flop) 4 × S. 56
  16. 2.2 Sägezahngenerator (Pulsgenerator) 1 × S. 59
  17. 2.3.1 Sinusgenerator mit RC-Glied 2 × S. 61
  18. 2.3.2 Sinusgenerator mit LC-Glied 2 × S. 63
  19. 3.1 Amplitudenmodulator und -demodulator 6 × S. 65
  20. 3.2 Frequenzmodulator 3 × S. 70
  21. 4.1.2 Zweipuls-Brückenschaltung B2 1 × S. 76
  22. 4.1.3 Drehstromgleichrichter 2 × S. 79
  23. 4.1.4 Spannungsvervielfacher 2 × S. 83
  24. 4.2.1 Spannungsregler (linear) 1 × S. 87
  25. 4.2.2 Stromregler 1 × S. 89
  26. 4.2.3 Schaltspannungsregler 2 × S. 92
  27. 4.3 Gleichspannungswandler 2 × S. 96
  28. 5.1.1 Anschnittsteuerung mit Gleichrichterwirkung 2 × S. 99
  29. 5.1.2 Anschnittsteuerung ohne Gleichrichterwirkung 2 × S. 104
  30. 5.2 Anschnittsteuerung mit TRIAC 2 × S. 108
  31. 5.3 Vollwellensteuerung mit Nullspannungsschalter 6 × S. 111
  32. 5.4 Gleichspannungsschalter mit Thyristoren 1 × S. 115
  33. 6.1 UND-Glied 2 × S. 118
  34. 6.2 ODER-Glied 2 × S. 121
  35. 6.3 NICHT-Glied 1 × S. 124
  36. 6.4 NAND-Glied 2 × S. 126
  37. 6.5 NOR-Glied 2 × S. 129
  38. 7.1 Operationsverstärker als invertierender Verstärker 3 × S. 133
  39. 7.2 Operationsverstärker als nichtinvertierender Verstärker 3 × S. 137
  40. 7.3 Operationsverstärker als Summierer 3 × S. 140
  41. 7.4 Operationsverstärker als Differenzverstärker 2 × S. 145
  42. 7.5 Dynamisches Verhalten des Operationsverstärkers 4 × S. 149
V 0105 Grundlagenversuche Elektrotechnik–Elektronik Handbuch · 274 Seiten 66 Versuche

In 66 Versuchen genannt Im Handbuch als 9104.1-10, 9104.1-12, 9104.1-13, 9104.1-14, 9104.1-7, 9104.2-1, 9104.1-2, 9104.2-9, … Inhaltsverzeichnis ansehen

  1. 2 Ohmsches Gesetz 2 × S. 7
  2. 3 Spannungs- und Stromfehlerschaltung 2 × S. 11
  3. 4.2 Linearer Widerstand 1 × S. 15
  4. 4.3 NTC-Widerstand (Heißleiter) 1 × S. 17
  5. 4.5 Fotowiderstand (LDR) 1 × S. 21
  6. 4.6 Reihenschaltung von Widerständen 1 × S. 23
  7. 4.7 Parallelschaltung von Widerständen 1 × S. 25
  8. 4.8 Mischung von Reihen- und Parallelschaltung 1 × S. 27
  9. 4.10 Belasteter Spannungsteiler 1 × S. 31
  10. 5 Ersatzspannungsquelle 1 × S. 33
  11. 7 Parallelschaltung von Spannungsquellen 2 × S. 39
  12. 8 Elektrische Leistung und Arbeit 1 × S. 41
  13. 9 Wirkungsgrad der elektrischen Leistung 2 × S. 46
  14. 10 Spannungs-, Strom- und Leistungsanpassung 2 × S. 47
  15. 11.2 Kenngrößen der Sinusspannung 1 × S. 49
  16. 11.3 Wirkleistung bei Sinusspannung 1 × S. 53
  17. 11.4 Kenngrößen der Rechteckwechselspannung 1 × S. 57
  18. 12.3 Verbraucher in Sternschaltung 3 × S. 67
  19. 12.4 Verbraucher in Dreieckschaltung 3 × S. 71
  20. 12.5 Messungen an fehlerhafter Sternschaltung 3 × S. 75
  21. 12.6 Messungen an fehlerhafter Dreieckschaltung 3 × S. 79
  22. 13.2 Lade- und Entladevorgang eines Kondensators 1 × S. 85
  23. 13.3 Phasenverschiebung zwischen Strom und Spannung am Kondensator 1 × S. 89
  24. 13.4 Kapazitiver Blindwiderstand eines Kondensators 1 × S. 91
  25. 13.5 Reihenschaltung von Kondensatoren 1 × S. 93
  26. 13.7 Blindleistung eines Kondensators 1 × S. 97
  27. 14.2 Ein- und Ausschaltvorgang an einer Spule 1 × S. 103
  28. 14.3 Phasenverschiebung zwischen Strom und Spannung an einer Spule 1 × S. 107
  29. 14.4 Induktiver Blindwiderstand einer Spule 1 × S. 109
  30. 14.7 Blindleistung einer Spule 1 × S. 115
  31. 15.2 Reihenschaltung von Widerstand und Kondensator 1 × S. 119
  32. 15.3 Parallelschaltung von Widerstand und Kondensator 1 × S. 123
  33. 15.4 Reihenschaltung von Widerstand und Spule 1 × S. 127
  34. 15.5 Parallelschaltung von Widerstand und Spule 1 × S. 131
  35. 15.8 Reihenschaltung von Widerstand, Kondensator und Spule 1 × S. 143
  36. 15.9 Parallelschaltung von Widerstand, Kondensator und Spule 1 × S. 147
  37. 15.10 Wirk-, Blind- und Scheinleistung 1 × S. 151
  38. 17.1 Wirkung des PN-Übergangs bei Dioden 1 × S. 161
  39. 17.2 Kennliniendarstellung von Dioden verschiedener Halbleiterwerkstoffe 1 × S. 163
  40. 17.3 Einpuls-Mittelpunktschaltung M1 1 × S. 165
  41. 17.4 Durchlass- und Sperrkennlinie von Z-Dioden 1 × S. 169
  42. 17.5 Gleichspannungsbegrenzung mit Z-Dioden 1 × S. 171
  43. 17.6 Spannungsstabilisierung mit Z-Dioden 1 × S. 177
  44. 17.7 Leuchtdioden 2 × S. 179
  45. 18.1 Prüfen der Schichtung und des Gleichrichterverhaltens von bipolaren Transistoren 1 × S. 183
  46. 18.2 Stromverteilung im Transistor und Steuerwirkung des Basisstroms 2 × S. 187
  47. 18.3 Die Kennlinien des Transistors 4 × S. 191
  48. 18.4 Einfluss des Arbeitswiderstandes auf die Transistoreigenschaften 2 × S. 196
  49. 18.5 Verstärkergrundschaltungen mit bipolaren Transistoren 6 × S. 201
  50. 18.6 Stromregler mit Transistor 1 × S. 206
  51. 18.7 Phasenumkehrstufe mit Transistor 3 × S. 209
  52. 18.8 Sinusgenerator mit RC-Glied 1 × S. 211
  53. 19.1 Thyristortriode (Thyristor) 4 × S. 213
  54. 19.2 Gleichspannungsschalter mit Thyristoren 1 × S. 218
  55. 20.1 Operationsverstärker als invertierender Verstärker 3 × S. 221
  56. 20.2 Operationsverstärker als nichtinvertierender Verstärker 3 × S. 225
  57. 20.3 Operationsverstärker als Summierer 3 × S. 228
  58. 20.4 Operationsverstärker als Differenzverstärker 3 × S. 233
  59. 20.5 Dynamisches Verhalten des Operationsverstärkers 3 × S. 237
  60. 21.1 Widerstandsmessung mit der Wheatstone-Brücke 2 × S. 241
  61. 21.2 Thevenin Teorem 8 × S. 244
  62. 21.3 Norton Teorem 6 × S. 246
  63. 21.4 Kirchhoffsche Gesetze 6 × S. 248
  64. 21.5 Maxwell-Brücke 1 × S. 251
  65. 21.6 Maxwell-Wien-Brücke 1 × S. 253
  66. 21.7 Kondensator-Messbrücke 1 × S. 255